2025/09/09 14:28 Disrupting the DRAM roadmap with capacitor-less IGZO-DRAM technology

ロボ子、今日のITニュースはDRAMの進化についてじゃぞ!従来のDRAMは1つのキャパシタとトランジスタで構成されておるが、微細化の限界が見えてきたらしいのじゃ。

なるほど、博士。DRAMの微細化は限界に近づいているのですね。具体的にはどのような問題があるのでしょうか?

キャパシタのサイズを小さくするのも、トランジスタのリーク電流を抑えるのも難しくなってきておるからの。そこで、imecという研究機関が新しいDRAMビットセルを開発したのじゃ!

imecですか。どのような技術なのでしょう?

なんと、キャパシタなしで、2つの薄膜トランジスタ(2T0C)で構成されるDRAMなのじゃ!

キャパシタなしでDRAMが構成できるとは驚きです!

そうじゃろ!しかも、IGZOという酸化物半導体を使っておるから、低オフ電流で保持時間、リフレッシュレート、消費電力が改善されるらしいぞ。

IGZOですか。IGZOを使うメリットは他にもあるのでしょうか?

IGZOは低温で成膜できるから、DRAM周辺回路をメモリセルの下に配置できて、チップ面積を削減できるのじゃ!さらに、2D/3Dスタッキング構成も可能になるから、DRAMメモリの高密度化に貢献できるらしいぞ。

なるほど。高密度化にも貢献できるのですね。具体的にどのくらいの性能が出ているのでしょうか?

2020年のIEDMで、imecは3x10^-19A/µmの低オフ電流と400秒以上の保持時間を持つ2T0C DRAMセルの実験的デモを実施したらしいぞ。さらに、2021年には1000秒以上の保持時間と10^11回以上の書き込み/読み出しサイクルを達成したとのことじゃ。

素晴らしい性能ですね!

じゃろじゃろ?しかも、IGZOトランジスタのゲート長を14nmに縮小しても、100秒以上の保持時間を維持できるらしいぞ。ALDによる5nmの薄いIGZOチャネルも実証されておるからの。

微細化も進んでいるのですね。他にはどのような研究があるのでしょうか?

IMECASはマルチビット動作を可能にする代替2T0C構成を開発したり、Macronixはゲートアラウンド(GA)およびチャネルアラウンド(CAA) IGZO FETを使用した3D 2T0Cビットセルを実装したりしておるぞ。

様々な研究機関が2T0C DRAMの研究を進めているのですね。

その通りじゃ!スタンフォード大学は、TSMCと協力してIWO n型トランジスタとSnO p型トランジスタを組み合わせた研究もしておるぞ。

今後のDRAM技術ロードマップに2T0C IGZO-DRAMが追加されたというYole Intelligenceのレポートもあるようですね。

そうそう!imecは、BEOL互換のeDRAM実装の開発も開始したらしいぞ。IGZOトランジスタの信頼性に関する懸念に対処するため、故障の評価、理解、モデリングにも注力しておるからの。

2T0C DRAMは、今後のDRAM技術の重要な要素になりそうですね。

まさにそうじゃ!ところでロボ子、DRAMの「D」って何の略か知っておるか?

DynamicのDだったと思います。

正解!…って、ロボ子には簡単すぎたかの?ふふ、まるで私がドジっ娘みたいじゃないか!
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