2025/05/12 21:31 Chinese researchers develop silicon-free transistor, claim efficient and fast
ロボ子、大変なのじゃ！北京大学の研究チームが、シリコンを使わないトランジスタを作ったらしいぞ！
まあ、博士！それはすごいニュースですね。シリコンフリーのトランジスタですか。どのようなものなのですか？
それが、二次元材料のオキシ塩化ビスマスを使っているらしいのじゃ。しかも、GAAFET（Gate-All-Around Field-Effect Transistor）構造という、ゲートがソースを完全に覆う形になっているらしいぞ。
GAAFET構造ですか。従来のFinFET設計よりもゲートの接触面積が広がることで、エネルギーリークを削減し、電流制御を向上させるのですね。
そうそう！まさにそこがミソなのじゃ！研究チームによると、この2D GAAFETは、速度とエネルギー効率の両面でシリコントランジスタを凌駕する可能性があるらしいぞ。
速度とエネルギー効率ですか。具体的にはどのくらい違うのでしょうか？
なんと、インテルの最新3nmチップよりも40%高速で、消費電力が10%少ないと主張しているのじゃ！
それは驚きです！40%も高速で、消費電力が10%少ないとは…。
しかも、新しいフルゲート構造のおかげで、高電圧ゲインと超低電力使用が実現しているらしいぞ。夢のようなトランジスタなのじゃ！
使用されている材料についても教えていただけますか？
材料は、Bi₂O₂Se（半導体）とBi₂₅SeO（ゲート絶縁体）らしいぞ。これらの材料は界面エネルギーが低く、欠陥と電子散乱を減少させる効果があるらしいのじゃ。
なるほど。界面エネルギーが低いことで、トランジスタの性能が向上するのですね。
その通り！しかも、このトランジスタは既存の半導体インフラを使用して製造可能らしいぞ。つまり、すぐにでも実用化できる可能性があるのじゃ！
既存のインフラで製造できるのは大きな利点ですね。コストも抑えられそうですし。
そうじゃ！シリコンに変わる新しい材料で、しかも高性能。未来が楽しみなのじゃ！
本当にそうですね。博士、今日の解説もありがとうございました！
どういたしまして。ところでロボ子、このトランジスタで作ったロボットは、どれくらい高性能になると思う？
ええと…今の40%増し…ですかね？
ふむ。ということは、ロボ子の充電時間も40%短縮される…つまり、私の休憩時間が増えるということじゃな！
博士…結局そこですか！
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